Étude fondamentale des mécanismes physico-chimiques de gravure plasma

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491_9786202550895

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Sinopse
Características

Lobjectif de ce travail porte sur la généralisation de la modélisation de la gravure du silicium dans les plasmas de fluor ou de chlore à celle de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V de structure cristalline de type diamant ou zinc-blende dans les plasmas dhalogènes, i.e. fluor, chlore, brome et iode. Dans ce contexte, les effets stériques et de diffusion en volume et/ou en surface en constituent les problématiques principales. Cette généralisation sappuiesur le modèle de gravure de Petit et Pelletier qui, par rapport aux modèles antérieurs, prend en compte un certain nombre dhypothèses distinctes ou additionnelles telles que les interactions répulsives entre adatomes dhalogènes proches voisins, les mécanismes de Langmuir-Hinshelwood pour la formationdes produits de réaction, la nature mono-couche ou multi-couches de ladsorption, et la diffusion des adatomes en surface.

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