Transitions intersousbandes dans les nanostructures de nitrures

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OmniScriptum GmbH & Co KG

Código:

491_9786131542374

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Sinopse
Características

Dans les années 80-90 la physique et les applications des transitions intersousbandes ont connu un essor remarquable. Il reste aujourdhui deux frontières à explorer: lextension vers les grandes longueurs donde du domaine THz et celle vers le proche infrarouge. Pour atteindre le domaine spectral des télécommunications par fibre optique, il faut disposer dhétérostructures présentant une discontinuité de potentiel élevée. Les hétérostructures de GaN/AlN ont une discontinuité de potentiel en bande de conduction voisine de 1,75 eV et sont aujourdhui les candidats les plus sérieux pour le développement de composants optoélectroniques unipolaires à 1,3-1,55 micron. Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des transitions intersousbandes dans des puits quantiques et boîtes quantiques de GaN/AlN.

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